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串口式闪存 | Winbond 闪存(2026/7/9更新)

串口式闪存

华邦W25XW25Q SpiFlash的产品记忆配备了常用的串行外设接口(SPI),密度范围从1M128M位,小的可擦除扇区和业界最高的性能。W25X系列的工作频率高达104MHZ,支持双输出SPI”,有效地增加一倍的时钟速率208MHZ W25Q家庭是W25X设备兼容,同时增加双I / OQuad-I / O SPI更高的性能。 时钟速率高达104MHZ达到相当于416MHz的(50M字节/秒的传输速率)时,使用四通道SPI 这是普通的串行闪存(50MHz的)超过8倍的性能,甚至超越异步并行闪存存储器,同时使用更少的引脚和更小的空间。 更快的传输速率是指控制器可以执行代码(XIP)直接从SPI接口或进一步提高启动时的阴影代码到RAM

 

SpiFlash的产品存储器提供150万或208 mil主体低于25%的空间并行闪存封装与8引脚塑料SOIC 8引脚SOIC封装允许的迁移路径从1M64M-bit.Higher密度的SpiFlash的产品存储器也提供16引脚塑料SOIC封装300-mil宽度。 也可以提供可选的8触点WSON8-pin DIP封装。 为进一步封装信息,请联系华邦电子。 
SpiFlash
的产品记忆提供了一个引脚,空间和成本有效的替代普通的并行Flash存储器,并且是非常广泛的应用,包括:电脑,DVD,蓝光,WLANDSL,电缆,打印机,硬盘驱动器,数位机上盒,LCD-TV,手机,蓝牙,GPSMP3,仪表,DSPFPGA和更多。 

华邦W25Q SpiFlashR回忆还包括容量从8M128M位的产品在汽车温度级工作温度从-40+105 oC 这些产品主要用于在汽车上的应用,包括信息娱乐系统,汽车车身电子系统,驾驶辅助和仪表板提供更高的易用性和汽车司机,乘客和行人的安全。

产品编号

密度

组织

电压

温度。

速度

评论

封装(S

状态*

RoHS指令

W25X05CL

512Kbit64KB

256页, 
4KB
扇区,
32/64KB
块, 
SPI

2.3V - 3.6V

-40 
+85

104MHZ 
208MHZ 
-SPI

提供样品

SOIC8采用150milTSSOP8VSOP8采用150mil173milUSON引脚2x3mmWSON 6X5mm

P

W25X10CL

1Mbit128KB

512页, 
4KB
扇区,
32/64KB
块, 
SPI

2.3V - 3.6V

-40 
+85

104MHZ 
208MHZ 
-SPI

提供样品

SOIC8采用150milTSSOP8VSOP8采用150mil173milUSON引脚2x3mmWSON 6X5mm

扩展了解:低功耗单存取同步动态随机存取内存 | 低功耗双存取同步动态随机存取内存 | 并行闪存 | 虚拟静态随机存取内存 | 双倍数据传输速率同步动态随机存取内存-3nd generation(第三代) | 双倍数据传输速率同步动态随机存取内存-2nd generation(第二代) |
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