虚拟静态随机存取内存（伪SRAM）
伪SRAM（静态随机存取记忆体）与传统SRAM接口的DRAM宏核心的片上刷新电路，使用户需要照顾这个任务。 相对于传统的CMOS SRAM，PSRAM具有更高密度，更高的速度，更小的芯片尺寸，和DRAM兼容的过程。
产品编号 密度 组织 电压 速度等级 包 状态* RoHS指令
W965D6GKA 32兆位 X16 CRAM 1.8V / 1.8V 133MHz的/ 70毫微秒（ns），-25到85°C - P -
W955D6GKA X16 CRAM-ADM 1.8V / 1.8V - P -
W955D6GKS X16 CRAM-AADM 1.8V / 1.8V - P -
W966D6HKA 64兆位 X16 CRAM 1.8V / 1.8V 133MHz的/ 70毫微秒（ns），-25到85°C - P -
W956D6HKA X16 CRAM-ADM 1.8V / 1.8V - P -
W956D6HKS X16 CRAM-AADM 1.8V / 1.8V - P -
W967D6HKA 128兆位 X16 CRAM 1.8V / 1.8V 133MHz的/ 70毫微秒（ns），-25到85°C - P -
W957D6HKA X16 CRAM-ADM - P -
W957D6HKS X16 CRAM-AADM - P -
W968D6DKA
256兆比特 X16 CRAM 1.8V / 1.8V 133MHz的/ 70毫微秒（ns），-25到85°C - P -
W958D6DKA X16 CRAM-ADM - P -
W958D6DKS X16 CRAM-AADM
