虚拟静态随机存取内存 - Winbond 移动随机存取内存产品

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虚拟静态随机存取内存 | Winbond 移动随机存取内存

虚拟静态随机存取内存（伪SRAM）

伪SRAM（静态随机存取记忆体）与传统SRAM接口的DRAM宏核心的片上刷新电路，使用户需要照顾这个任务。相对于传统的CMOS SRAM，PSRAM具有更高密度，更高的速度，更小的芯片尺寸，和DRAM兼容的过程。

产品编号密度组织电压速度等级包状态* RoHS指令

W965D6GKA 32兆位 X16 CRAM 1.8V / 1.8V 133MHz的/ 70毫微秒（ns），-25到85°C - P -

W955D6GKA X16 CRAM-ADM 1.8V / 1.8V - P -

W955D6GKS X16 CRAM-AADM 1.8V / 1.8V - P -

W966D6HKA 64兆位 X16 CRAM 1.8V / 1.8V 133MHz的/ 70毫微秒（ns），-25到85°C - P -

W956D6HKA X16 CRAM-ADM 1.8V / 1.8V - P -

W956D6HKS X16 CRAM-AADM 1.8V / 1.8V - P -

W967D6HKA 128兆位 X16 CRAM 1.8V / 1.8V 133MHz的/ 70毫微秒（ns），-25到85°C - P -

W957D6HKA X16 CRAM-ADM - P -

W957D6HKS X16 CRAM-AADM - P -

W968D6DKA

256兆比特 X16 CRAM 1.8V / 1.8V 133MHz的/ 70毫微秒（ns），-25到85°C - P -

W958D6DKA X16 CRAM-ADM - P -

W958D6DKS X16 CRAM-AADM

Winbond（华邦）官网发布的行业动态（2024年5月20日更新）

华邦电子将参展2012德国慕尼黑电子零组件展

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