华邦电子（Winbond）今日发布了新世代NAND型闪存系列产品，可提供容量达512Mb以上的高质量编码型闪存解决方案。

华邦电子新推出的车规级SLC（单层式）HQ（高质量）串行式NAND型闪存，为汽车系统制造商在日趋复杂的应用系统(如：自动驾驶系统)中提供高容量且低成本的编码储存解决方案。

华邦电子透过新的生产及测试流程解决常发生在传统NAND型闪存的位错误问题，使此编码储存方案成为更好的选择。不同于其他消费型NAND型闪存供货商使用1x nm(奈米) or 2x nm(奈米)制程技术，华邦使用46nm(奈米)制程技术来确保其NAND型闪存的高可靠性及数据保存时间，使其质量能够与当今市场上的NOR型闪存相当。

华邦电子保证其下所有新世代高质量串行式NAND型闪存系列产品在出货时及100次擦写次数内不会有坏块出现。此外，华邦电子的高质量NAND型闪存在工作温度高达85°C的情况下，在100次擦写次数内可以达到至少25年的数据保存时间。此外，根据实验数据，经过10000次擦写次数后，依然可达到至少15年的数据保存时间，这使得车规级NAND型闪存能与NOR型闪存一样易于使用在现今系统中。

华邦电子发布的新世代车规级高质量NAND型闪存，是对当今NOR型闪存制程技术微缩瓶颈所提出的响应方案。依据业界的，NOR型闪存制程技术的微缩普遍在65nm(奈米)后逐步趋缓并在45nm(奈米)上停滞。

在此同时，汽车制造商正在开发高密度计算型应用，如先进驾驶辅助系统（ADAS），自主驾驶系统和激光雷达测距系统，这些新应用需要使用比传统设计更高容量的编码型闪存。这意味着如果汽车系统制造商继续使用NOR型闪存，其零件的成本将急剧上升。

华邦电子的46nm(奈米)高质量NAND型闪存为这些应用提供了更低成本的编码储存方案。另外，华邦电子更持续在NAND型闪存上发展32nm(奈米)制程技术，使得未来能够以更低的成本且能维持车规级的高质量。

华邦电子闪存营销总监Syed Hussain 表示：NOR型闪存制程技术的微缩在45nm(奈米)以下难以实行且客户对于高容量内存的需求仍不断增长，造成使用NOR型闪存的成本不断提升，而改用NAND型闪存可以解决此问题。华邦电子的NAND型闪存单位成本约是45nm(奈米) NOR型闪存的一半，且接下来所发展的32nm(奈米)制造技术将使NAND型闪存更具竞争力。

华邦电子提供完整的512Mb(64MB)和1Gb(128MB)的46nm(奈米) NAND型闪存解决方案。分别是操作电压在1.8V的W25N512GW (512Mb)/W25N01GW(1Gb)系列与操作电压在3V的W25N512GV (512Mb)/W25N01GV(1Gb)系列。

为了协助客户能顺利从容量256Mb(32MB)或以下的 NOR型闪存转移到512Mb或1Gb NAND型闪存，NAND型闪存的引脚及封装皆与NOR型闪存匹配。